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レーザーテックがSiCウェハ欠陥検査レビュー装置を発売 |
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 レーザーテック株式会社（横浜市港北区）は、12月1日、SiCウェハの欠陥を検査するWASAVIシリーズSICA61を製品化し12月より受注を開始すると発表した。
パワーデバイス素材として使用されてきたSiは消費電力損失が大きく、SiC（炭化ケイ素）がSiと比較して損失を数分の一に低減できることからSiに代わる素材として期待されているが、従来使用されている散乱光方式の検査装置では、散乱光強度の小さい結晶欠陥などの検出が難しいこと、さらにウェハ裏面反射光やエピウェハ特有のステップバンチングの影響により安定した検査が困難であるという問題がある。これらを踏まえて、SICA6１は、コンフォーカル光学系＋微分干渉の組合せと独自の欠陥検出アルゴリズムを採用することにより、SiCウェハ特有のステップバンチングや裏面反射光の影響という問題を解決し、シェルピット、スタッキングフォルト、キャロット、マイクロパイプなどの結晶欠陥や浅いスクラッチに対して高い検出能力を実現、さらに高解像度のレビュー機能、欠陥分類機能、欠陥マップ表示機能や、位相シフト干渉法による3D測定機能があり、1台の装置で研究開発から量産工程まで適応可能、とのこと。
レーザーテックのURL: http://www.lasertec.co.jp/
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