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ニューフレアテクノロジーがエピタキシャル成長装置の新製品を発表 |
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 株式会社ニューフレアテクノロジー（横浜市港北区）は、5月28日、エピタキシャル成長装置の新製品HT2000Fを発表した。
HT2000Fは、優れた膜厚・抵抗率均一性を実現する高効率・省エネ型の厚膜用枚葉式高速エピタキシャル成長装置で、自然エネルギー発電やハイブリッド自動車などに需要の拡大が見込まれるパワー半導体の高耐圧化・高性能化・ウェーハ大口径化の要求に応えて、従来製品の2～3倍の成長速度とガス利用効率、さらに半分程度の電力使用量により生産コストを30％以上削減することが可能とし、また品質面においては、±１%以下の面内膜厚均一性、±3%以下の面内抵抗率均一性を実現すると共に、ウェーハ全面に亘って均一な拡がり抵抗プロファイルを可能（200mmウェーハ上に150ミクロン以上の厚膜を成長させた場合）にする、としている。同社は、HT2000Fを市場に投入することによって、直径200mm以下のウェーハ用エピタキシャル成長装置でトップシェアを目指す、としている。
ニューフレアテクノロジーのURL：http://www.nuflare.co.jp/
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